IT之家 4 月 25 日音尘，韩国科技先进计划院（KAIST）近日发表论文，告捷研发新式相变存储器（phase change memory，PCM），不错活泼切换结晶（低电阻）和非晶体（高电阻），从而蚁合 DRAM 和 NAND 的优点。

DRAM 速率快但不牢固，这意味着断电时（举例关闭运筹帷幄机时）存储在其中的数据就会清除；而 NAND 闪存即使断电也能保留数据，但速率剖释慢于 DRAM。

图源：IBM

PCM 天然终明晰速率和非易失性的“鱼与熊掌兼得”，但制变老本荒谬崇高，况且需要多数热量将相变材料溶化成非晶态，因此坐褥经过荒谬耗电。

由 Shinhyun Choi 诠释教唆的科研团队设想了新的步伐，通过仅消弱径直参与相变经过的组件，创建相变纳米丝（phase-changeable nano filament）。

与使用崇高的光刻用具制造的传统相变存储器比较，这种新颖的步伐将耗电量裁减至 15 分之一，况且制变老本也低得多。

新式相变存储器保留了传统存储器的好多特质，如速率快、ON / OFF 比大、变化小、多级存储特质等。

Choi 暗意，他们展望计划效果将成为未回电子工程的基础，并可能利用于高密度 3D 垂直存储器、神经步地运筹帷幄系统、旯旮惩处器和内存运筹帷幄系统。

IT之家附上参考地址

Phase-change memory via a phase-changeable self-confined nano-filament

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